技术编号:17097725
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体器件及其制造领域,特别涉及一种半导体器件及其制造方法。背景技术随着半导体技术的不断发展,集成电路的集成度也不断地提高。在集成电路的芯片设计中,通常会同时集成有有源器件和无源器件,无源器件例如电阻、电容等也会占据芯片的面积,尤其是在3D NAND存储器的芯片设计中,外围电路由HVMOS(高压金属氧化物半导体,High Voltage Metal Oxide Semiconductor)器件和LVMOS(低压金属氧化物半导体,Low Voltage Metal Oxide Semic...
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