技术编号：17097737
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种改善SONOS存储器之多晶硅薄膜沉积特性的方法。背景技术随着市场对FLASH存储器件集成度要求的不断提高，传统Flash器件数据存储的可靠性与器件的工作速度、功耗、尺寸等方面的矛盾日益凸现。SONOS存储器具有单元尺寸小、操作电压低、与CMOS工艺兼容等特点，SONOS技术的不断改进将推动半导体存储器向微型化、高性能、大容量、低成本等方向发展。SONOS存储器用硅基底-隧穿氧化层-氮化硅-阻挡氧化层(blocking oxide)-多晶硅(Silicon...
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