技术编号:17097914
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。技术领域本发明涉及一种IGBT器件结构及其制作方法,具体是一种沟槽栅IGBT器件结构及其制作方法,属于半导体器件的制造技术领域。背景技术相比于MOSFET器件,IGBT漂移区的电导调制效应可以大大地降低正向导通压降Vceon,静态功率损耗较小,电压越高表现越加显著。因而,IGBT 在中高压应用中占据了很大的市场份额。IGBT主要有穿通型PT- IGBT、非穿通型NPT- IGBT和场截止型FS-IGBT三种结构,三者之间的主要差异是不同的衬底PN结结构(P+和Nbuffer)和不同的漂移区(N-...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。