技术编号：17118590
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明的形态一般涉及一种静电吸盘。背景技术在进行蚀刻、CVD(Chemical Vapor Deposition)、溅镀、离子注入、灰化等的等离子处理燃烧室内，作为吸附保持半导体晶片、玻璃基板等处理对象物的手段而使用静电吸盘。静电吸盘如下，对内置的电极外加静电吸附用电力，通过静电力吸附硅片等基板。在具有静电吸盘的基板处理装置中，为了提高成品率及品质(例如提高晶片的加工精度)，要求对晶片进行温度控制。静电吸盘中，例如要求对晶片进行2种温度控制。一个是使晶片面内的温度分布趋于均匀的性能(温度均匀性)...
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