技术编号:17120108
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种非易失性存储器,且特别涉及一种编程非易失性存储器的方法及存储器系统。背景技术近年来,非易失性存储器广泛的使用于各种电子设备,例如个人计算机、笔记本电脑、智能型手机、平板计算机等。非易失性存储器可包括由存储单元(cell)组成的阵列。通过使用多阶储存单元(multi-level cell,MLC)技术,一个存储单元可储存较多位而能够提高存储器密度。随着存储单元的尺寸逐渐减小,在不同存储器状态之间的阈值电压(threshold voltage,Vt)间隔也随之变小,因此导致较高的位错误...
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