技术编号:17121629
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种高压元件及其制造方法,特别是指一种降低内部电容以改善瞬时响应的高压元件及其制造方法。背景技术图1A与图1B分别显示现有技术的双扩散金属氧化物半导体(double-diffused metal oxide semiconductor,DMOS)元件100的俯视示意图与剖视示意图;其中,图1B显示图1A中,剖线AA’的剖视图。DMOS元件100为一种高压元件,如图1A与图1B所示,于半导体基板101中形成N型高压阱区102;并形成绝缘区103,以定义操作区103a,绝缘区103例如为浅...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。