技术编号:17121646
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于半导体存储技术领域,具体涉及一种基于标准CMOS工艺的单层多晶结构EEPROM。背景技术电可擦除可编程只读存储器(Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory,简称“EEPROM”)具有擦写可逆、擦写速度快、掉电后数据不丢失的性能,广泛应用于嵌入式存储器、物联网等领域。如图1所示,为传统单层多晶结构EEPROM存储器的电路图,图2所示为图1所示EEPROM存储器的剖面示意图。其存储单元采用NMOS管和PMOS管组成,PMOS管用...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。