技术编号:17150715
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及LED的制备,具体涉及一种ZnO导电协变衬底垂直结构型GaN紫外LED结构及其制备工艺流程,属于半导体照明技术领域。背景技术紫外LED发光效率的提高一直是人们关注的热点。要提高发光效率,发展功率型紫外LED器件是大势所趋,其中垂直结构芯片是目前功率型LED采用的主流技术路线。对于制造LED芯片来说,衬底材料的选用是首要考虑的问题,功率型器件对衬底材料的导电性和导热性能提出了更高要求。用于GaN生长最普遍的衬底是Al2O3,其优点是化学稳定性好,不吸收可见光、价格适中、制造技术相对成熟。...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。