技术编号：17153705
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。一般而言，本发明涉及复杂半导体装置的制造，更具体而言，涉及形成一西格玛(sigma)形状晶格于源极/漏极区域。背景技术先进集成电路，(如CPU、存储装置、ASIC(专用集成电路)等)的制造，需要根据一指定的电路布局在一给定芯片区域中形成大量的电路元件。其中，所谓的氧化金属物场效应晶体管(MOSFET或FET)代表了基本决定了集成电路的形成的一种重要的电路元件。一FET是一种通常包括一源极区域、一漏极区域、位于该源极区域以及该漏极区域之间的一沟道区域，以及位于该沟道区域上方的一栅极电极的装置。与具...
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