技术编号:17158851
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于集成电路技术领域,具体地涉及一种应用于5G毫米波基站的CMOS集成电路带隙基准源。背景技术基准源是模拟电路设计中一个关键的单元模块,它为系统提供直流参考基准。它的精度、温度稳定性以及电源电压抑制比影响到整个系统的精度和性能。传统基准电压源如齐纳基准源和掩埋型齐纳基准源由于其高电压、高功耗而且与CMOS制造工艺不兼容,所以不适用于当今CMOS集成电路的设计。带隙基准电压源的性能较其它基准有了很大的飞跃。带隙基准输出电压受温度和电源电压影响小,并且其精度高。基准的初始精度、温度系数、长期漂...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。