技术编号:17159650
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及薄膜生长或薄膜制备领域,尤其涉及一种制备石墨烯薄膜的化学气相沉积设备及方法。背景技术现代科学和技术需要使用大量功能各异的无机新材料或薄膜材料,如石墨烯、六角氮化硼等。一般来讲,为了达到所需的性能,这些功能材料必须是高纯的。而为了得到高纯度的产品,科学界、工艺界也发明了很多制备方法。其中,化学气相淀积法(CVD)、分子束外延生长法(MBE)等都是近几十年发展起来的制备高纯度材料的新技术。CVD是Chemical Vapor Deposition的简称,是一种基于化学反应的薄膜淀积方法。如...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。