基于延长写时间的优化非易失性存储器写寿命的内存管理方法与流程技术资料下载

技术编号:17160341

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本发明涉及一种计算机系统的内存管理方法。背景技术当前计算机的内存主要是DRAM存储技术,但是DRAM技术的发展受到其自身特点的制约,比如周期性消耗能量来刷新电容维持数据、断电后数据丢失等。因此人们提出采用新型的非易失性,比如非易失性随机存储器(ReRAM)和相变储存器(Phase Change Memroy,PCM)来代替DRAM作为新一代的计算机内存。这些新型存储器具有密度高、可扩展性强、非易失和静态功耗低等优势。但是新型存储器具有一个共性的缺点:写寿命短。相比于DRAM,新型存储器的存储单元...
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