技术编号:17165305
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本实用新型涉及散热装置技术领域,尤其涉及一种冷却结构。背景技术功率半导体器件以功率金属氧化物半导体场效应晶体管(功率MOS)、绝缘栅双极晶体管(IGBT)以及功率集成电路(PIC)为主。在新能源汽车控制器中,IGBT运行的稳定性尤为重要。温度、振动是影响IGBT性能的重要因素。功率半导体器件双面冷却方式可显著降低IGBT温度。现有技术中,用于对功率半导体器件双面冷却降温的装置为冷凝器结构。通常冷凝器结构包括壳体以及设置在壳体内的冷却组件。冷却组件通常通过固定件固定的方式固定于壳体内,虽热能够起到...
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