技术编号：17189434
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及电力技术，具体的讲是一种IGBT并联单元及IGBT压接结构。背景技术随着工业化的深入发展，对IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor，绝缘栅双极型晶体管)的电流、电压及功耗等级提出了更高的要求。为满足大功率电路设计的需求，通常直接采用大功率等级的IGBT，或者采用功率等级较小的IGBT通过串并联使用；前者将大大增加产品成本和驱动电路的复杂性，后者因其市场货源充足、驱动功率低且驱动线路简单而受到广泛研究。因此，采用IGBT并联提高电流以满足工业要求，具...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。