技术编号：17193901
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。在集成电路和其它电子装置的制造中，导体、半导体以及介电材料的多个薄层沉积于半导体晶片的表面上且随后至少部分地从半导体晶片的表面上去除。随着材料层依序沉积和去除，晶片的最上表面变得不平坦。由于后续半导体加工(例如金属化)需要晶片具有平坦表面，所以晶片需要平坦化。化学机械平坦化或化学机械抛光(CMP)通常用于在制造期间使集成电路和其它电子装置衬底，如半导体晶片平坦化。在常规CMP中，衬底安装在载体组合件上且定位成与CMP设备中的抛光垫接触。载体组合件通过将其抵着CMP抛光垫按压向衬底中施加可控的压力...
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