技术编号:17198933
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本实用新型涉及半导体制造技术领域,尤其涉及一种半导体器件。背景技术动态随机存储器(DRAM)通常采用埋栅结构的晶体管,但是目前,在DRAM的制造过程中,还没有能够有效地降低埋栅结构的晶体管的沟道漏电流的方法。实用新型内容本实用新型的目的在于提供一种半导体器件,能够方便有效的降低晶体管的沟道漏电流,并且不影响半导体器件的其他电学特性。为了达到上述目的,本实用新型提供了一种半导体器件,包括:衬底,所述衬底中形成有源区及漏区;栅极结构,形成于所述源区和所述漏区之间的衬底中以构成晶体管;以及,调整区,位...
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