技术编号：17211685
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本申请要求于2017年9月20日在韩国知识产权局递交的韩国专利申请No.10-2017-0121184的优先权，其全部公开内容通过引用合并于此。技术领域本发明构思的示例性实施例涉及存储设备、其操作方法及包括存储设备的存储系统。背景技术半导体存储设备通常划分为易失性存储设备和非易失性存储设备，易失性存储设备在电力中断时无法保留所存储的信息，非易失性存储设备即使电力中断也保留所存储的信息。NAND闪速存储设备被广泛用作非易失性存储设备。可以响应于对应的命令，对NAND闪速存储设备的存储体执行读取、编...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。
请注意，此类技术没有源代码，用于学习研究技术思路。