技术编号:17287714
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及闪存存储器,尤指一种闪存存储器的主动错误更正失败处理方法。背景技术闪存存储器装置通常分为NOR闪存存储装置与NAND闪存存储装置。NOR闪存存储装置为随机存取装置,主装置(Host)可在地址引脚上提供存取NOR闪存存储装置的任意地址,并即时地从NOR闪存存储装置的数据引脚上获得存储于该地址上的使用者数据。相反地,NAND闪存存储装置并非随机存取,而是序列存取。NAND闪存存储装置无法像NOR闪存存储装置一样,可以存取任何随机地址,主装置反而需要写入序列的字节(Bytes)到NAND闪存...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。
请注意,此类技术没有源代码,用于学习研究技术思路。