技术编号:17289522
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本公开涉及半导体激光器、电子设备和驱动半导体激光器的方法。背景技术在半导体激光器中,存在Q开关操作作为通过控制振荡来获得高功率脉冲的方法。在Q开关操作中,最初增加光学损耗以抑制振荡,从而促进光学泵浦以使激发状态下的原子数量充分增加;在那个时间点,Q值升高,从而允许振荡。例如,在以下专利文献1至专利文献5中描述了允许Q开关操作的半导体激光器。引用文献列表专利文献专利文献1:特开平1-262683号公报专利文献2:特开平5-90700号公报专利文献3:特开平10-229252号公报专利文献4:特开2...
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