技术编号:17295663
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。技术领域本发明属于微电子技术领域,涉及半导体器件结构与制作,特别是一种多沟道鳍式结构的AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管HEMT,可用于制作大规模集成电路。背景技术近年来以SiC和GaN为代表的第三代宽禁带半导体以其大禁带宽度、高击穿电场、高热导率、高饱和电子速度和异质结界面二维电子气2DEG浓度高等特性,使其受到广泛关注。在理论上,利用这些材料制作的高电子迁移率晶体管HEMT、发光二极管LED、激光二极管LD等器件比现有器件具有明显的优越特性,因此近些年来国内外研究者对其进行了广泛而深入的研...
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