技术编号：17295703
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体功率器件，尤其涉及碳化硅二极管。技术背景中国专利200710153275.9，题为“SiC肖特基势垒半导体器件”中描述了第二导电类型的结势垒d1/d2≥1；该专利中，整个保护环的深度<有源区结势垒深度；中国专利：CN201710027731，题为“一种提高浪涌能力的碳化硅肖特基二极管结构及制备方法”中描述了有源区结势垒区的宽度分为宽窄2种，其间距均匀分布。以上专利描述中，有源P区与保护环P区的结深一致。这样会造成结势垒二极管的雪崩耐量较低。发明内容本发明所要解决的主要技术问...
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