技术编号:17302436
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于SiCMOSFET参数建模技术领域,涉及一种SiCMOSFET仿真电路模型参数精度校正方法。背景技术随着电力电子技术的飞速发展,逐渐成熟的SiCMOSFET开始在电动汽车、开关电源和可再生能源等高密度、高效率应用场合崭露头角,为了更好的发挥SiCMOSFET的性能优势,优化电力电子开关变换器的设计过程,需要建立准确的SiCMOSFET仿真模型。目前,SiCMOSFET器件的仿真模型研究越来越受到关注,建模方法主要分为两类:物理建模和等效电路建模。物理建模:基于半导体物理学的相关知识,求...
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