技术编号:17302840
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及PE、催化剂双重促进碳纳米管生长设备技术领域,具体涉及一种等离子体增强碳纳米管生长设备。背景技术借助射频电源使含有薄膜成分原子的碳源气体电离,在局部形成等离子体产生辉光现象,而等离子体化学活性很强,很容易发生反应,在覆催化剂膜的基底上沉积出所期望的碳纳米管。为了使化学反应能在较低的温度下进行,利用了等离子体的活性来促进反应,过强等离子体对衬底表面的轰击增强,增加膜与衬底的内应力,使晶格等内部缺陷增多,由于纳米催化剂和CNT受到高能离子轰击带来的离子诱导破坏,在低压PECVD生长中又会不...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。