通过等离子体增强化学气相沉积法生长石墨烯纳米带的方法和系统与流程技术资料下载

技术编号:17302844

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本申请要求于2017年9月26日提交的名称为“通过等离子体增强化学气相沉积法的石墨烯纳米带的高产量单步低温催化生长”的美国临时专利申请第62/563,246号的优先权,为了所有目的,通过引用将上述专利申请的公开内容结合在此。关于在联邦资助的研究或开发下作出的发明权利的声明不适用背景技术石墨烯是形成二维蜂窝状晶格结构的单层碳原子,被认为是科学研究和技术应用的神奇材料。其独特的电子、热和机械性能以及与光刻技术的兼容性对于许多纳米电子、自旋电子和机械应用是理想的;对于大面积的光电装置,如触摸屏显示器、...
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