技术编号:17320687
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及集成电路制造技术领域,特别涉及一种抗电迁移的金属层结构及其工艺方法。背景技术自进入深亚微米时代,金属电迁移(EM)现象被确认为是导致芯片失效的主要因素之一,产生电迁移的内因是金属薄膜道题内结构的非均匀性,外因是电流密度的过大。半导体中金属薄膜的电迁移可靠性问题一直是半导体制造行业的研究热点。虽然目前铜互联工艺已经相对完善,但是对工艺水平要求非常高,且制造生产成本高昂,因此大多数FAB仍使用工艺成熟度高、性价比高的铝互连工艺。随着工艺节点要求的不断提高,铝互连线尺寸不断的缩小,铝互联线电...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。