技术编号:17344491
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种制备多孔硅的方法,具体涉及一种激光刻蚀和电化学阳极氧化结合制备多孔硅的方法。背景技术多孔硅(PS--Porous Silicon)是一种孔径由纳米到毫米级的新型功能性多孔材料,由于其结构的特殊性而导致其具有特殊的性能,多孔硅具有其他材料不可比拟的绝热性、发光性能以及生物适应性、室温下的气敏性能,所以被广泛的应用于各个领域。如多孔硅可以在电激发下产生载流子进行复合发光,在全硅基光电子集成器件上有着极大的应用潜力;在电化学传感器中可以作为选择性、渗透膜实现对特殊物质的选择性渗透;在气敏...
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