技术编号:17371958
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本实用新型涉及单晶炉,特别涉及一种单晶炉副炉分离结构。背景技术单晶炉是一种在惰性气体环境中,用石墨加热器将多晶硅等多晶材料熔化,用直拉法生长无错位单晶的设备。单晶炉一般分为主炉室和副炉室,晶硅原料在主炉室内加热,并在副炉室内通过直拉法形成成型硅晶,在副炉室内成型结束后,需要将副炉室与从单晶炉上分离,副炉室会被转移到其他设备上进行后续加工。现有技术中,为保持分离时主炉室内的气压稳定,一般会在副炉室和主炉室之间增设隔离阀室。当需要对主炉室内进行加料,或对主炉室进行清理和检修工作时,需要先将副炉室分离...
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