技术编号:17381603
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体器件技术领域,尤其是涉及一种新的半导体器件及其制造方法。背景技术在现有的半导体器件中,B(硼,三族元素)元素作为主要的受主杂质用于形成半导体器件或者电路中的PN结,形成的半导体器件或电路具有相应的功能。但由于受主杂质B的扩散速度较慢,导致结深较深的PN结需要较多的扩散时间,增加工艺成本。发明内容本发明实施例提供一种半导体器件及其制造方法能够缩短制造工序的时间和减少工艺成本。针对上述问题,根据本发明实施例提供一种半导体器件,包括:电极层;半导体层,与电极层层叠设置,半导体层包括相接...
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