技术编号：17394461
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及光刻领域。更具体地，本发明涉及一种制造掩模的方法。发明背景在IC制造中，光刻是必不可少的工艺步骤。由于特征尺寸的不断减小，使用光学邻近校正技术来计算应该设置什么光掩模图案以产生期望的晶片图案。切换到重度OPC的图案在计算上具有挑战性，而且给掩模及其制造也带来了某些挑战。因此，应该制造高级掩模以实现减小的特征尺寸的图案化。除主要设计特征外，亚分辨率辅助特征(SRAF)通常也存在于掩模上，以提高设计特征的可印刷性。当掩模被来自光源的光曝光时，光会被更大的设计特征完全阻挡。较小的辅助特征部分...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。