技术编号:17409550
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本实用新型属于半导体光电器件领域,尤其涉及一种的多量子阱结构及其发光二极管。背景技术多量子阱层是氮化物发光二极管(英文为Light Emitting Diode,简称LED)的电子-空穴复合辐射中心,其晶体质量、结构组成直接关系到LED的出光效率。理论上,量子阱结构越多复合效率也越高,但是由于受限于随着量子阱结构数量增加,量子阱结构的生长质量会逐渐变差,因此量子阱结构的数量也必须严格控制。同时,对于垒层厚度的设计,垒层的结构越薄则电子空穴遂穿效应增加,电子空穴在量子阱分布更均匀,提升复合效率。而...
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