技术编号:17424959
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及光伏高效电池技术领域,尤其涉及一种高效异质结电池本征非晶硅钝化层结构及其制备方法。背景技术随着光伏技术的快速发展,晶体硅太阳电池的转换效率逐年提高。在当前光伏工业界,单晶硅太阳电池的转换效率已达到21%以上,多晶硅太阳电池的转换效率已达19%以上。然而大规模生产的、转换效率达22.5%以上的硅基太阳电池仅美国SunPower公司的背接触太阳电池(Interdigitated Back Contact,IBC)和日本松下公司的带本征薄层的非晶硅/晶体硅异质结太阳电池(Hetero-jun...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。