技术编号：17456561
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本实用新型涉及半导体制造领域，具体地，涉及一种腔室冷却装置及半导体加工设备。背景技术化学气相沉积(Chemical Vapor Deposition，以下简称CVD)技术是一种用于产生纯度高、性能好的固态材料的化学技术，典型的CVD制程是将晶圆暴露在一种或多种不同的前驱物下，在一定工艺温度下，在晶圆表面发生化学反应和/或化学分解，以在晶圆上产生薄膜。对于任何一种CVD技术，温度控制都是十分关键的技术之一，尤其是CVD反应腔室的温度控制。在进行工艺阶段，反应腔室内部温度较高，可达1100℃，即使在...
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