技术编号:17458043
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本实用新型涉及微电子技术领域,具体地,涉及一种基片传输系统。背景技术目前,在微电子技术领域中,化学气相沉积(CVD)方法,是一种利用不同气体在高温下相互反应来制备外延薄膜层的方法,通过CVD设备可以进行外延生长,即在单晶衬底(基片)上生长一层达到一定要求的、与衬底晶向相同的单晶层,CVD设备包括旋转升降系统和机械手,机械手起到取放硅片的功能,旋转升降系统中设置有托盘,用以承载硅片。现有技术中,机械手只进行二维运动,即只在一个平面上运动,升降装置设置有上下两个气缸,在放片过程中,机械手携带硅片伸入...
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