技术编号：17469203
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本文中要求的本发明是根据或代表和/或结合赫尔辛基大学(the University of Helsinki)与ASM微量化学公司(ASM Microchemistry Oy.)之间的联合研究协议进行的。所述协议在作出所要求的本发明的日期当天和之前有效，并且所要求的本发明是作为在所述协议的范围内进行的活动的结果而作出。技术领域本公开大体上涉及通过循环沉积在衬底上沉积金属硫族化物的方法，且尤其涉及二硫化锡或二硫化锗的循环沉积。本公开还涉及包含通过循环沉积形成的金属硫族化物薄膜的半导体装置结构。背景技...
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