技术编号:17473865
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种MoS2纳米片包覆KNbO3纳米线异质结构压电/光催化材料的制备方法,属于光催化材料制备技术领域。背景技术半导体光催化技术例如光催化产氢和光催化降解有机污染物,是解决世界能源危机和环境危机极具前景的方法。大量的半导体光催化剂包括金属氧化物、金属硫化物、钙钛矿金属氧化物等已经被广泛地探索。然而,光生电子和空穴的复合极大限制了光催化性能的提高。针对这一问题,许多修饰方法例如掺杂、共催化剂负载、纳米结构设计等已经被广泛的研究。然而,半导体光催化剂的光催化性能依然不令人满意。因此,有必要寻...
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