技术编号：17474713
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种半导体材料加工方法，尤其涉及一种碳化硅单晶薄膜的制备方法。背景技术碳化硅天然地具有高硬度、高热导率、高击穿电压等优点，是一种广泛应用于微电子、航空航天、大功率器件等行业的第三代宽禁带半导体材料。目前已经具有成熟的高质量六寸碳化硅晶圆片的制造和外延生长技术、以及成熟的微纳米加工和掺杂技术。2011年，美国芝加哥大学的Awschalom研究组首次发现碳化硅中的双空位色心可以实现室温下的自旋操控，证明其相干时间可以达到几百微秒。近几年碳化硅色心由于其优越的性质，例如高亮度单光子源、优异的...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。