技术编号:17474761
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本原理的实施例总体涉及半导体工艺。背景技术通常通过顺序地沉积导电、半导电或绝缘层而在基板上(特别是在硅晶片上)形成集成电路。在沉积每一层之后,蚀刻该层以产生电路特征。在顺序地沉积和蚀刻一系列层时,基板的外表面或最上表面,即,基板的暴露表面,变得越来越不平坦。然而,不平坦的表面在集成电路制造工艺的光刻步骤中存在问题。因此,需要周期性平坦化基板表面。化学机械抛光(CMP)是一种公认的平坦化方法。在平坦化期间,将基板安装在载体或抛光头上。基板的暴露表面靠着旋转的抛光垫放置。抛光垫可以是“标准”或固定研...
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