技术编号:17475030
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体技术领域,尤其涉及一种浅沟槽隔离结构的制作方法。背景技术在集成电路加工制造过程中,晶圆(wafer)的加工工艺的质量对电路的工作性能具有决定性的影响。其中,制作浅沟槽隔离(ST I)是整个集成电路加工的前端基础工艺。晶圆刻蚀浅沟槽时,共有25片晶圆放在晶舟上面,一开始晶舟是放置在非刻蚀的腔体内(VCE),然后从第一片开始一片一片的传到刻蚀腔体内进行刻蚀,刻蚀的时候使用到的气体主要是HBr或者C l 2或者CF4,这些气体容易和反应的薄膜形成聚合物粘附在晶圆上面,当晶圆刻蚀完后传回...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。