技术编号:17475083
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于IGBT封装结构技术领域,具体涉及一种能够封装于陶瓷管壳内的压接式IGBT内部封装结构。背景技术IGBT是MOSFET和双极晶体管的复合器件,既有MOSFET易驱动的特点,又有功率晶体管高电压、大电流等特点,是世界公认的电力电子第三次技术革命代表性产品。压接式IGBT与焊接式IGBT相比较,具有双面散热、更宽广的安全工作区(SOA)、更高的工作结温、无引线、高可靠性及失效短路特殊特性等优势,在柔性直流输电换流阀中的器件直接串联、应用环境苛刻和高可靠性要求的应用领域中具有非常显著的竞争优...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。