技术编号:17475504
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于半导体器件技术领域,更具体地说,是涉及一种低寄生电阻的肖特基二极管。背景技术肖特基二极管是倍频以及混频电路中使用的主要非线性半导体器件。常规的肖特基二极管结构自上而下依次为金属阳极、N型半导体沟道区、半导体重掺杂区以及金属阴极。为了提高肖特基二极管的功率承受能力,应当提高沟道区的长度以提高击穿电压。但是,由于耗尽区宽度总是小于沟道区长度,未耗尽的N型区存在一个较大的寄生电阻。沟道区越长,该电阻越大。该寄生电阻会影响器件的工作截止频率,同时也是产生能量耗散的主要因素。发明内容本发明的目的...
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