技术编号:17475572
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体技术领域,特别涉及一种高电子迁移率晶体管。背景技术高电子迁移率晶体管(英文:High electron mobility transistor,简称:HEMT)是场效应晶体管的一种,它使用两种具有不同能隙的材料形成异质结,为载流子提供沟道。氮化镓(GaN)基材料具有宽带隙、高电子迁移率、耐高压、抗辐射、易形成异质结构、自发极化效应大的特点,适合制备HEMT等新一代高频大功率微电子器件和电路。目前GaN基材料及器件是全球半导体领域研究的前沿和热点,在军民领域具有重大的应用前景。现有...
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