技术编号:17475814
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及光电子制造技术领域,特别涉及一种发光二极管的外延片及其制作方法。背景技术LED(Light Emitting Diode,发光二极管)具有体积小、寿命长、功耗低等优点,目前被广泛应用于汽车信号灯、交通信号灯、显示屏以及照明设备。目前GaN基LED外延片通常包括衬底和在衬底上依次生长的缓冲层、u型GaN层、n型GaN层、发光层和p型层。LED通电后,载流子(包括n型GaN层的电子和p型层的空穴)会向发光层迁移,并在发光层中复合发光。在实现本发明的过程中,发明人发现现有技术至少存在以下问题...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。