技术编号:17475826
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体技术领域,特别涉及一种氮化镓基发光二极管外延片、芯片及其制备方法。背景技术发光二极管(英文:Light Emitting Diode,简称:LED)是一种能发光的半导体电子元件。氮化镓(GaN)具有良好的热导性能,同时具有耐高温、耐酸碱、高硬度等优良特性,使氮化镓(GaN)基LED受到越来越多的关注和研究。外延片是LED制备过程中的初级成品。现有的LED外延片包括衬底、N型半导体层、有源层和P型半导体层,N型半导体层、有源层和P型半导体层依次层叠在衬底上。衬底用于为外延材料提供生...
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