技术编号:17486628
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本申请涉及一种尤其发射紫色辐射或者紫外辐射的光电子器件,所述光电子器件具有带有量子阱结构的有源层,所述有源层具有氮化物化合物半导体材料,尤其AlInGaN。本申请要求德国专利申请10 2016 116 425.9的优先权,其公开内容通过参引并入本文。背景技术由尤其具有AlInGaN的氮化物化合物半导体构成的量子阱结构常常用作为LED或者激光二极管中的有源层,所述LED或者激光二极管通常在蓝色的光谱范围中进行发射。与半导体材料的组成相关地,尤其也可以在紫色或者紫外光谱范围中进行发射。为了实现在紫外...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。