技术编号：17486843
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。公开的技术涉及晶体管的自偏置，更具体地，涉及耗尽型氮化镓功率晶体管的自偏置。背景技术因为氮化镓晶体管能够在高温和高电压下工作，所以它们用于射频功率放大器。高功率氮化镓晶体管通常是耗尽型器件，其在零栅极-源极电压下是常开的。如果在栅极-源极电压为零时在漏极和源极之间施加电压，则可能有大的潜在破坏性的电流流过器件。因此，在施加漏极和源极之间的电压之前，将负栅极偏置电压施加到晶体管，以便在施加漏极电压时限制电流。这意味着对用于操作耗尽型晶体管的电压进行排序。典型的耗尽型晶体管电路具有漏极电源电压、负栅...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。
该类技术注重原理思路，无完整电路图，适合研究学习。