技术编号：17494142
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种硅和过渡金属硫化物肖特基势垒的界面处理方法，属于电子器件技术领域。背景技术随着传统硅沟道金属氧化物半导体器件接近其微缩极限，在后硅时代需要替代材料。过去十年中，碳纳米管，石墨烯，过渡金属硫化物等低维材料具有良好的电子特性，在各种二维材料中，具有固定带隙(1-2eV)以及原子级厚度薄的过渡金属硫化物半导体被认为是最有希望可替代硅沟道的候选材料。并且基于单层过渡金属硫化物的场效应晶体管已经制造并且进行了深入研究。金属和半导体材料接触的时候，在界面处的半导体能带弯曲，形成肖特基势垒。然而...
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