技术编号:17494257
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体领域,特别涉及一种半导体器件结构的制造方法以及使用该制造方法形成的半导体器件结构。背景技术传统CMOS工艺虽然可以同时实现NMOS管和PMOS管,但是由于硅衬底的空穴的迁移率低于电子子迁移率,因此,NMOS管的性能会优于PMOS管,造成半导体器件的性能不佳。发明内容针对现有技术中的缺陷,本发明的目的是提供一种半导体器件结构的制造方法以及使用该制造方法形成的半导体器件结构,该半导体器件结构的制造方法可以在CMOS工艺中同时实现NMOS管和PMOS管,并且提高PMOS管的性能。根据本...
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