技术编号:17494486
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体制造方法领域,具体而言,涉及一种半导体器件及其制造方法。背景技术氮化镓半导体材料具有禁带宽度大、电子饱和漂移速率高、击穿场强高、耐高温等显著优点,与第一代半导体硅和第二代半导体砷化镓相比,更适合于制作高温、高压、高频和大功率的电子器件,具有广阔的应用前景,已成为目前半导体行业研究的热点。氮化镓高电子迁移率晶体管(HEMT)是利用AlGaN/GaN异质结处的二维电子气形成的一种氮化镓器件,可以应用于高频、高压和大功率的领域。在进行氮化镓器件的封装工艺时,为了提高器件增益,减小接地电...
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