技术编号：17495282
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本公开属于半导体激光器技术领域，涉及一种垂直腔面发射激光器及其制作方法。背景技术大功率、低能耗和高波长稳定性垂直腔面发射半导体激光器VCSEL在激光测距、激光雷达、空间激光通信等国防安全领域具有重要的应用。要实现器件的大功率输出的一个重要手段就是增加VCSEL的出光口径，但出光口径增大会出现的注入电流不均、模式损耗增强，输出功率降低，光束质量变差的问题。为了改善大口径VCSEL载流子聚集效应，现有技术主要包括：采用环形桥型分布电极实现了工作电流相对均匀分布，改善了激射光场能量分布；采用透明导电薄...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。