技术编号:17535784
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及例如用于红外线传感器等的光接收元件、其制造方法、摄像元件和电子装置。背景技术近年来,使用诸如InGaAs(铟镓砷化物)等的III-V族半导体作为光电转换材料的图像传感器(摄像元件)已受到关注(例如,参见专利文献1)。例如,可将这种图像传感器用作在红外区域具有灵敏度的红外线传感器。引用列表专利文献PTL 1:日本未审查专利申请公开2014-127499号发明内容为各个像素设置包括III-V族半导体的光电转换层作为公共层。换言之,光电转换层连续地设置在像素上。这样会导致光已进入的像素与光电...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。